Uspešno ste se registrovali!
Molimo vas, ulogujte se putem linka koji vam je poslat na

Rojters: Ruski hakeri napali američko Ministarstvo unutrašnje bezbednosti

© Sputnik / Kirill Kallinikov / Uđi u foto-galerijuProgramer za kompjuterom
Programer za kompjuterom - Sputnik Srbija
Pratite nas
Agencija Rojters tvrdi da je tim hakera koji navodno radi za rusku vladu dobio pristup unutrašnjim komunikacijama Ministarstva unutrašnje bezbednosti SAD.
„Tim oštroumnih hakera, koji, kako se pretpostavlja, rade za rusku vladu – dobio je pristup unutrašnjim komunikacijama američkog Ministarstva“, saopštila je agencija, pozivajući se na svoje izvore.

Međutim, ona za sada ne navodi konkretne dokaze umešanosti ruske vlade u incident.

Istovremeno, pomoćnik ministra za odnose sa javnošću Aleksej Voltornist izjavio je da je „Ministarstvo upoznato sa sajber-hakovanjem u federalnoj vladi i da radi na tome da odgovori na te pretnje uz saradnju sa svojim partnerima“.

Prema podacima agencije, navodno se radi o nastavku napada o kojem je saopšteno u nedelju kada su hakeri uspeli da pristupe sistemu Ministarstva finansija i trgovine SAD.

Ranije je pres-služba američkog Ministarstva trgovine potvrdila informacije o hakovanju računarske mreže Nacionalne uprave za telekomunikacije i informacije. FBI istražuje slučaj.

Kako je Rojters izvestio, u američkoj obaveštajnoj službi postoji zabrinutost da su hakeri koji su napali vladu i Ministarstvo finansija možda koristili slične metode da bi provalili u druge strukture američke vlade. Istovremeno, prema izveštavanjima „Vašington posta“, iza ovih sajber napada stoje hakeri koji rade za rusku vladu. Međutim, list ne navodi dokaze o ovim izjavama.

Portparol predsednika Rusije Dmitrij Peskov negirao je američke optužbe o umešanosti ruskih hakera u kompjuterske napade i pozvao da se prestane sa neosnovanim optužbama.

Pročitajte još:

 

Sve vesti
0
Prvo nova obaveštenjaPrvo stara obaveštenja
loader
Da biste učestvovali u diskusiji
izvršite autorizaciju ili registraciju
loader
Ćaskanje
Zagolovok otkrыvaemogo materiala