Uspešno ste se registrovali!
Molimo vas, ulogujte se putem linka koji vam je poslat na

Nota Moskve ambasadi Amerike zbog fejkova o protestima u Rusiji

© Sputnik / Vladimir Pesnya / Uđi u foto-galerijuRusko ministarstvo spoljnih poslova
Rusko ministarstvo spoljnih poslova - Sputnik Srbija
Pratite nas
Rusko Ministarstvo spoljnih poslova uručilo je protestnu notu predstavniku ambasade Sjedinjenih Država zbog širenja lažnih informacija o protestima u Rusiji.
„Konstatujemo obimno širenje lažnih informacija o Rusiji na američkim digitalnim platformama koje sistemski insistiraju na provokativnom sadržaju a koji koordinisano širi i američka ambasada u Moskvi“, navodi se u noti Ministarstva spoljnih poslova Rusije.

Navedeno je i da nota sadrži upozorenje da ruska strana ima pravo da odgovori na to.

Portparolka ruskog Ministarstva Marija Zaharova je prethodno najavila da će Rusija uputiti notu Americi zbog učešća američkih internet-platformi u masovnom širenju lažnih informacija u vezi Rusije.

Istovremeno, naglasila je da će Moskva pokrenuti pitanje američkog mešanja u unutrašnje stvari Rusije na međunarodnim platformama.

Neodobrene protestne akcije održane su u subotu u različitim gradovima Rusije u znak podrške opozicionaru Alekseju Navaljnom, koji je nedavno priveden u Moskvi. Pristalice opozicionog pozivale su ljude da izađu na ulice. Rusko Ministarstvo unutrašnjih poslova i Generalno tužilaštvo više puta su upozoravali na odgovornost i organizatora i običnih učesnika na neodobrene akcije.

Na sajtu ambasade SAD u Ruskoj Federaciji 22. januara pojavio se spisak mesta okupljanja nedozvoljenih protesta pristalica opozicionara Alekseja Navaljnog u Rusiji, na šta je reagovalo rusko Ministarstvo spoljnih poslova saopštivši da bilo kakvi pokušaji da se situacija na taj način prenosi u javnost predstavlja „grubo mešanje u unutrašnja pitanja zemlje“.

Pročitajte još:

Sve vesti
0
Prvo nova obaveštenjaPrvo stara obaveštenja
loader
Da biste učestvovali u diskusiji
izvršite autorizaciju ili registraciju
loader
Ćaskanje
Zagolovok otkrыvaemogo materiala